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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> KSA1156OSTU
KSA1156OSTU PDF预览

KSA1156OSTU

更新时间： 2024-09-19 13:00:11
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 转换器稳压器开关高压
页数 文件大小 规格书
5页 68K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126,

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KSA1156OSTU 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-126
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.68
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：400 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：60JEDEC-95代码：TO-126
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：10 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
最大关闭时间（toff）：5000 ns最大开启时间（吨）：1000 ns
Base Number Matches：1

KSA1156OSTU 数据手册

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KSA1156  
High Voltage Switching  
Low Power Switching Regulator  
DC-DC Converter  
•
•
•
High Breakdown Voltage  
Low Collector Saturation Voltage  
High Speed Switching  
TO-126  
1. Emitter 2.Collector 3.Base  
1
PNP Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Ratings  
- 400  
- 400  
- 7  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
CBO  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Base Current  
V
CEO  
EBO  
V
I
I
I
- 0.25  
- 0.5  
- 1  
A
B
Collector Current (DC)  
Collector Current (Pulse)  
A
C
A
CP  
P
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
1
W
W
°C  
°C  
C
a
Collector Dissipation (T =25°C)  
10  
C
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 55 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
V
V
(sus)  
Collector-Emitter Sustaining Voltage  
I
= - 100mA, I = - 10mA  
- 400  
V
CEO  
C
B
L = - 20mH  
(sus)  
Collector-Emitter Sustaining Voltage  
I
= - 200mA, I = - I = - 20mA  
- 400  
V
CEX  
C
B1  
B2  
V
V
V
V
V
(off)= 5V, L = 10mH  
BE  
CB  
EB  
CE  
CE  
I
I
I
I
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
Collector Cut-off Current  
Collector Cut-off Current  
= - 400V, I = 0  
- 100  
- 10  
- 100  
- 1  
µA  
µA  
µA  
mA  
CBO  
E
= - 5V, I = 0  
EBO  
C
= - 400V, V (off) = 1.5V  
CEX1  
CEX2  
BE  
= - 400V, V (off) = 1.5V  
BE  
T = 125°C  
C
h
DC Current Gain  
V
= - 5V, I = - 100mA  
30  
200  
- 1  
- 1.2  
1
FE  
CE  
C
V
V
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Turn On Time  
I
I
= - 100mA, I = - 10mA  
V
V
CE  
C
C
B
(sat)  
= - 100mA, I = - 10mA  
B
BE  
t
t
t
V
= - 150V, I = - 100mA  
µs  
µs  
µs  
ON  
CC  
C
I
= - 10mA , I = 20mA  
Storage Time  
B1  
B2  
4
STG  
F
R = 1.5KΩ  
L
Fall Time  
1
h
Classification  
FE  
Classification  
N
R
O
Y
h
30 ~ 60  
40 ~ 80  
60 ~ 120  
100 ~ 200  
FE  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, February 2000  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KSA1156-R SAMSUNG

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126
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