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KS24A011CTTF

更新时间： 2024-11-05 14:43:03

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三星 - SAMSUNG		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟光电二极管内存集成电路
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EEPROM, 1KX1, Serial, CMOS, PDSO8, TSSOP-8

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KS24A011CTTF 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	TSSOP,	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	最大时钟频率 (fCLK)：	0.4 MHz
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	长度：	4.4 mm
内存密度：	1024 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	1	功能数量：	1
端子数量：	8	字数：	1024 words
字数代码：	1000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：	-25 °C
组织：	1KX1	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	并行/串行：	SERIAL
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
串行总线类型：	I2C	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.8 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	3 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	5 ms
Base Number Matches：	1

KS24A011CTTF 数据手册

KS24A011/021/041/081/161

1K/2K/4K/8K/16K-bit

Serial EEPROM for Low Power

Data Sheet

OVERVIEW

The KS24A011/021/041/081/161 serial EEPROM has a 1,024/2,048/4,096/8,192/16,384-bit capacity, supporting

the standard I²C™-bus serial interface. It is fabricated using Samsungs’ most advanced CMOS technology. It has

been developed for low power and low voltage applications (1.8 V to 5.5 V). One of its major feature is a

hardware-based write protection circuit for the entire memory area. Hardware-based write protection is controlled

by the state of the write-protect (WP) pin. Using one-page write mode, you can load up to 16 bytes of data into

the EEPROM in a single write operation. Another significant feature of the KS24A011/021/041/081/161 is its

support for fast mode and standard mode.

FEATURES

I²C-Bus Interface

Operating Characteristics

Two-wire serial interface

Operating voltage

— 1.8 V to 5.5 V

Automatic word address increment

EEPROM

Operating current

— Maximum write current: < 3 mA at 5.5 V

— Maximum read current: < 200 mA at 5.5 V

— Maximum stand-by current: < 1 mA at 5.5 V

Operating temperature range

— – 25°C to + 70°C (commercial)

— – 40°C to + 85°C (industrial)

Operating clock frequencies

— 100 kHz at standard mode

— 400 kHz at fast mode

1K/2K/4K/8K/16K-bit

(128/256/512/1,024/2,048-byte) storage area

16-byte page buffer

Typical 3 ms write cycle time with

auto-erase function

Hardware-based write protection for the entire

EEPROM (using the WP pin)

EEPROM programming voltage generated

on chip

1,000,000 erase/write cycles

100 years data retention

Electrostatic discharge (ESD)

— 5,000 V (HBM)

— 500 V (MM)

Packages

8-pin DIP, SOP, and TSSOP

1-1

12 3 4 5 6 7...16

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