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KS24A040IS

更新时间： 2024-11-05 15:36:31

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三星 - SAMSUNG		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟光电二极管内存集成电路
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18页	132K
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EEPROM, 4KX1, Serial, CMOS, PDSO8, SOP-8

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KS24A040IS 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SOP,	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.84
最大时钟频率 (fCLK)：	0.4 MHz	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
长度：	4.92 mm	内存密度：	4096 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	1
功能数量：	1	端子数量：	8
字数：	4096 words	字数代码：	4000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	4KX1
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	SERIAL	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.95 mm	串行总线类型：	I2C
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.8 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	3.95 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	5 ms	Base Number Matches：	1

KS24A040IS 数据手册

KS24A010/020/040

1K/2K/4K-bit

Serial EEPROM for Low Power

with software write protect

Data Sheet

OVERVIEW

The KS24A010/020/040 serial EEPROM has a 1,024/2,048/4,096-bit (128/256/512-byte) capacity, supporting the

standard I²C™-bus serial interface. It is fabricated using Samsung’s most advanced CMOS technology. It has

been developed for low power and low voltage applications (1.8 V to 5.5 V). Important features are a hardware-

based write protection circuit for the entire memory area and software-based write protection logic for the lower

128 bytes. Hardware-based write protection is controlled by the state of the write-protect (WP) pin. The software-

based method is one-time programmable and permanent. Using one-page write mode, you can load up to 16

bytes of data into the EEPROM in a single write operation. Another significant feature of the KS24A010/020/040

is its support for fast mode and standard mode.

FEATURES

I²C-Bus Interface

Operating Characteristics

Two-wire serial interface

Operating voltage

— 1.8 V to 5.5 V

Automatic word address increment

EEPROM

Operating current

— Maximum write current: < 3 mA at 5.5 V

— Maximum read current: < 200 mA at 5.5 V

— Maximum stand-by current: < 1 mA at 5.5 V

Operating temperature range

— – 25°C to + 70°C (commercial)

— – 40°C to + 85°C (industrial)

Operating clock frequencies

— 100 kHz at standard mode

— 400 kHz at fast mode

1K/2K/4K-bit (128/256/512-byte) storage area

16-byte page buffer

Typical 3 ms write cycle time with

auto-erase function

Hardware-based write protection for the entire

EEPROM (using the WP pin)

Software-based write protection for the lower

128-byte EEPROM

EEPROM programming voltage generated

on chip

1,000,000 erase/write cycles

100 years data retention

Electrostatic discharge (ESD)

— 5,000 V (HBM)

— 500 V (MM)

Packages

8-pin DIP, SOP, and TSSOP

2-1

12 3 4 5 6 7...18

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