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KS24A2561C

更新时间： 2024-11-05 18:48:35

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三星 - SAMSUNG		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟双倍数据速率光电二极管内存集成电路
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EEPROM, 256KX1, Serial, CMOS, PDIP8, DIP-8

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KS24A2561C 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	DIP, DIP8,.3
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.92	最大时钟频率 (fCLK)：	1 MHz
数据保留时间-最小值：	50	耐久性：	500000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节：	1010DDDR	JESD-30 代码：	R-PDIP-T8
JESD-609代码：	e0	长度：	9.2 mm
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	1	功能数量：	1
端子数量：	8	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：	-25 °C
组织：	256KX1	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP8,.3
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	SERIAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	2/5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	5.08 mm	串行总线类型：	I2C
最大待机电流：	0.000001 A	子类别：	EEPROMs
最大压摆率：	0.003 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.8 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	7.62 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	5 ms
写保护：	HARDWARE	Base Number Matches：	1

KS24A2561C 数据手册

KS24A1281/2561

128K/256K-bit

Serial EEPROM for Low Power

Data Sheet

OVERVIEW

The KS24A1281/2561 serial EEPROM has a 128K/256K-bit (16,384/32,768 bytes) capacity, supporting the

standard I²C™-bus serial interface. It is fabricated using Samsungs’ most advanced CMOS technology. It has

been developed for low power and low voltage applications (1.8 V to 5.5 V). One of its major feature is a

hardware-based write protection circuit for the entire memory area. Hardware-based write protection is controlled

by the state of the write-protect (WP) pin. Using one-page write mode, you can load up to 64 bytes of data into

the EEPROM in a single write operation. Another significant feature of the KS24A1281/2561 is its support for fast

mode and standard mode.

FEATURES

I²C-Bus Interface

Operating Characteristics

Two-wire serial interface

Operating voltage

— 1.8 V to 5.5 V

Automatic word address increment

EEPROM

Operating current

— Maximum write current: < 3 mA at 5.5 V

— Maximum read current: < 400 mA at 5.5 V

— Maximum stand-by current: < 1 mA at 5.5 V

128K/256K-bit (16,384/32,768 bytes) storage

area

64-byte page buffer

Typical 3 ms write cycle time with

auto-erase function

Operating temperature range

— – 25°C to + 70°C (commercial)

— – 40°C to + 85°C (industrial)

Hardware-based write protection for the entire

EEPROM (using the WP pin)

EEPROM programming voltage generated

on chip

Operating clock frequencies

— 400 kHz at standard mode

— 1 MHz at fast mode

500,000 erase/write cycles

50 years data retention

Electrostatic discharge (ESD)

— 5,000 V (HBM)

— 500 V (MM)

Packages

8-pin DIP, and TSSOP

8-1

12 3 4 5 6 7...16

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KS24A2561I	SAMSUNG	获取价格	EEPROM, 256KX1, Serial, CMOS, PDIP8, DIP-8
KS24A2561IT	SAMSUNG	获取价格	EEPROM, 256KX1, Serial, CMOS, PDSO8, TSSOP-8
KS24A2561ITTF	SAMSUNG	获取价格	EEPROM, 256KX1, Serial, CMOS, PDSO8, TSSOP-8
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