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KS24A321ITTF

更新时间： 2024-11-09 13:16:47

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三星 - SAMSUNG		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟光电二极管内存集成电路
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描述
EEPROM, 32KX1, Serial, CMOS, PDSO8, TSSOP-8

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KS24A321ITTF 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	TSSOP,	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	最大时钟频率 (fCLK)：	0.4 MHz
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	长度：	4.4 mm
内存密度：	32768 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	1	功能数量：	1
端子数量：	8	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	32KX1	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	并行/串行：	SERIAL
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
串行总线类型：	I2C	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.8 V	标称供电电压 (Vsup)：	2 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	3 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	5 ms
Base Number Matches：	1

KS24A321ITTF 数据手册

KS24A321/641

32K/64K-bit

Serial EEPROM for Low Power

Data Sheet

OVERVIEW

The KS24A321/641 serial EEPROM has a 32K/64K-bit (4,096/8,192 bytes) capacity, supporting the standard

I²C™-bus serial interface. It is fabricated using Samsungs’ most advanced CMOS technology. It has been

developed for low power and low voltage applications (1.8 V to 5.5 V). One of its major feature is a hardware-

based write protection circuit for the entire memory area. Hardware-based write protection is controlled by the

state of the write-protect (WP) pin. Using one-page write mode, you can load up to 32 bytes of data into the

EEPROM in a single write operation. Another significant feature of the KS24A321/641 is its support for fast mode

and standard mode.

FEATURES

I²C-Bus Interface

Operating Characteristics

Two-wire serial interface

Operating voltage

— 1.8 V to 5.5 V

Automatic word address increment

EEPROM

Operating current

— Maximum write current: < 3 mA at 5.5 V

— Maximum read current: < 400 mA at 5.5 V

— Maximum stand-by current: < 1 mA at 5.5 V

Operating temperature range

— – 25°C to + 70°C (commercial)

— – 40°C to + 85°C (industrial)

Operating clock frequencies

— 100 kHz at standard mode

— 400 kHz at fast mode

32K/64K-bit (4,096/8,192 bytes) storage area

32-byte page buffer

Typical 3 ms write cycle time with

auto-erase function

Hardware-based write protection for the entire

EEPROM (using the WP pin)

EEPROM programming voltage generated

on chip

1,000,000 erase/write cycles

100 years data retention

Electrostatic discharge (ESD)

— 5,000 V (HBM)

— 500 V (MM)

Packages

8-pin DIP, SOP, and TSSOP

6-1

12 3 4 5 6 7...16

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