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KS24A641ISTF

更新时间： 2024-11-09 20:52:19
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
16页 121K
描述
EEPROM, 64KX1, Serial, CMOS, PDSO8, SOP-8

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KS24A641ISTF 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOIC
包装说明：SOP,针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.84
最大时钟频率 (fCLK)：0.4 MHzJESD-30 代码：R-PDSO-G8
长度：4.92 mm内存密度：65536 bit
内存集成电路类型：EEPROM内存宽度：1
功能数量：1端子数量：8
字数：65536 words字数代码：64000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：64KX1
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
并行/串行：SERIAL认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.95 mm串行总线类型：I2C
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：1.8 V
标称供电电压 (Vsup)：2 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL宽度：3.95 mm
最长写入周期时间 (tWC)：5 msBase Number Matches：1

KS24A641ISTF 数据手册

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KS24A321/641  
32K/64K-bit  
Serial EEPROM for Low Power  
Data Sheet  
OVERVIEW  
The KS24A321/641 serial EEPROM has a 32K/64K-bit (4,096/8,192 bytes) capacity, supporting the standard  
I2C™-bus serial interface. It is fabricated using Samsungs’ most advanced CMOS technology. It has been  
developed for low power and low voltage applications (1.8 V to 5.5 V). One of its major feature is a hardware-  
based write protection circuit for the entire memory area. Hardware-based write protection is controlled by the  
state of the write-protect (WP) pin. Using one-page write mode, you can load up to 32 bytes of data into the  
EEPROM in a single write operation. Another significant feature of the KS24A321/641 is its support for fast mode  
and standard mode.  
FEATURES  
I2C-Bus Interface  
Operating Characteristics  
·
·
Two-wire serial interface  
·
Operating voltage  
— 1.8 V to 5.5 V  
Automatic word address increment  
EEPROM  
·
Operating current  
— Maximum write current: < 3 mA at 5.5 V  
— Maximum read current: < 400 mA at 5.5 V  
— Maximum stand-by current: < 1 mA at 5.5 V  
Operating temperature range  
— – 25°C to + 70°C (commercial)  
— – 40°C to + 85°C (industrial)  
Operating clock frequencies  
— 100 kHz at standard mode  
— 400 kHz at fast mode  
·
·
·
32K/64K-bit (4,096/8,192 bytes) storage area  
32-byte page buffer  
Typical 3 ms write cycle time with  
auto-erase function  
·
·
·
·
·
Hardware-based write protection for the entire  
EEPROM (using the WP pin)  
EEPROM programming voltage generated  
on chip  
·
·
1,000,000 erase/write cycles  
100 years data retention  
Electrostatic discharge (ESD)  
— 5,000 V (HBM)  
— 500 V (MM)  
Packages  
8-pin DIP, SOP, and TSSOP  
·
6-1  
1234567...16

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KS24A641IT SAMSUNG

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 		EEPROM, 64KX1, Serial, CMOS, PDSO8, TSSOP-8
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 		暂无描述
KS24C010I SAMSUNG

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