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KS24A2561CTTF

更新时间： 2024-11-09 18:48:35

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三星 - SAMSUNG		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟光电二极管内存集成电路
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描述
EEPROM, 256KX1, Serial, CMOS, PDSO8, TSSOP-8

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KS24A2561CTTF 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	TSSOP,	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.84
最大时钟频率 (fCLK)：	1 MHz	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
长度：	4.4 mm	内存密度：	262144 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	1
功能数量：	1	端子数量：	8
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：	-25 °C	组织：	256KX1
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：	SERIAL	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	串行总线类型：	I2C
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.8 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	3 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	5 ms	Base Number Matches：	1

KS24A2561CTTF 数据手册

KS24A1281/2561

128K/256K-bit

Serial EEPROM for Low Power

Data Sheet

OVERVIEW

The KS24A1281/2561 serial EEPROM has a 128K/256K-bit (16,384/32,768 bytes) capacity, supporting the

standard I²C™-bus serial interface. It is fabricated using Samsungs’ most advanced CMOS technology. It has

been developed for low power and low voltage applications (1.8 V to 5.5 V). One of its major feature is a

hardware-based write protection circuit for the entire memory area. Hardware-based write protection is controlled

by the state of the write-protect (WP) pin. Using one-page write mode, you can load up to 64 bytes of data into

the EEPROM in a single write operation. Another significant feature of the KS24A1281/2561 is its support for fast

mode and standard mode.

FEATURES

I²C-Bus Interface

Operating Characteristics

Two-wire serial interface

Operating voltage

— 1.8 V to 5.5 V

Automatic word address increment

EEPROM

Operating current

— Maximum write current: < 3 mA at 5.5 V

— Maximum read current: < 400 mA at 5.5 V

— Maximum stand-by current: < 1 mA at 5.5 V

128K/256K-bit (16,384/32,768 bytes) storage

area

64-byte page buffer

Typical 3 ms write cycle time with

auto-erase function

Operating temperature range

— – 25°C to + 70°C (commercial)

— – 40°C to + 85°C (industrial)

Hardware-based write protection for the entire

EEPROM (using the WP pin)

EEPROM programming voltage generated

on chip

Operating clock frequencies

— 400 kHz at standard mode

— 1 MHz at fast mode

500,000 erase/write cycles

50 years data retention

Electrostatic discharge (ESD)

— 5,000 V (HBM)

— 500 V (MM)

Packages

8-pin DIP, and TSSOP

8-1

12 3 4 5 6 7...16

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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KS24A2561IT	SAMSUNG	获取价格	EEPROM, 256KX1, Serial, CMOS, PDSO8, TSSOP-8
KS24A2561ITTF	SAMSUNG	获取价格	EEPROM, 256KX1, Serial, CMOS, PDSO8, TSSOP-8
KS24A321C	SAMSUNG	获取价格	EEPROM, 32KX1, Serial, CMOS, PDIP8, DIP-8
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KS24A321CTTF	SAMSUNG	获取价格	EEPROM, 32KX1, Serial, CMOS, PDSO8, TSSOP-8
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