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KRX103E PDF预览

KRX103E

更新时间： 2024-09-25 22:32:07
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KEC 晶体开关晶体管驱动局域网
页数 文件大小 规格书
3页 89K
描述
EPITAXIAL PLANAR NPN/PNP TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT)

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KRX103E 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5针数：5
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.75
其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：COMPLEX
最小直流电流增益 (hFE)：120JESD-30 代码：R-PDSO-F5
元件数量：2端子数量：5
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN AND PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：200 MHzBase Number Matches：1

KRX103E 数据手册

 浏览型号KRX103E的Datasheet PDF文件第2页浏览型号KRX103E的Datasheet PDF文件第3页 
KRX103E  
EPITAXIAL PLANAR NPN/PNP TRANSISTOR  
SEMICONDUCTOR  
TECHNICAL DATA  
SWITCHING APPLICATION.  
INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION.  
B
B1  
FEATURES  
ᴌIncluding two devices in TESV.  
(Thin Extreme Super mini type with 5 pin.)  
ᴌWith Built-in bias resistors.  
1
2
3
5
4
DIM MILLIMETERS  
_
A
A1  
B
1.6+0.05  
_
1.0+0.05  
_
1.6+0.05  
ᴌSimplify circuit design.  
_
+
B1  
C
1.2 0.05  
ᴌReduce a quantity of parts and manufacturing process.  
0.50  
_
D
H
J
0.2+0.05  
_
+
0.5 0.05  
_
+
0.12 0.05  
P
P
EQUIVALENT CIRCUIT  
P
5
Q
Q
2
1
OUT  
OUT  
1. Q COMMON (EMITTER)  
1
R1  
R1  
Q
, Q  
2
1
2. Q IN (BASE)  
1
IN  
IN  
3. Q COMMON (EMITTER)  
2
R1=22KΩ  
R2=22KΩ  
4. Q OUT (COLLECTOR)  
2
5. Q OUT (COLLECTOR)  
1
R2  
COMMON  
R2  
COMMON  
Q
IN (BASE)  
2
TESV  
EQUIVALENT CIRCUIT (TOP VIEW)  
Marking  
Type Name  
4
5
4
5
Q1  
Q2  
BB  
1
2
3
1
2
3
Q1 MAXIMUM RATING (Ta=25ᴱ)  
CHARACTERISTIC  
Output Voltage  
SYMBOL  
RATING  
50  
UNIT  
V
VO  
VI  
IO  
Input Voltage  
40, -10  
100  
V
Output Current  
Ὠ
Q2 MAXIMUM RATING (Ta=25ᴱ)  
CHARACTERISTIC  
Output Voltage  
SYMBOL  
RATING  
-50  
UNIT  
V
VO  
VI  
IO  
Input Voltage  
-40, 10  
-100  
V
Output Current  
Ὠ
Q1, Q2 MAXIMUM RATING (Ta=25ᴱ)  
CHARACTERISTIC  
SYMBOL  
PD *  
RATING  
200  
UNIT  
Ὥ
Power Dissipation  
Tj  
Junction Temperature  
150  
ᴱ
Tstg  
Storage Temperature Range  
* Total Raing.  
-55ᴕ150  
ᴱ
2002. 1. 24  
Revision No : 1  
1/3  
123

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