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KRX101U PDF预览

KRX101U

更新时间： 2024-09-25 22:32:07
品牌 Logo 应用领域
KEC 晶体开关晶体管光电二极管驱动局域网
页数 文件大小 规格书
3页 88K
描述
EPITAXIAL PLANAR NPN/PNP TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT)

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KRX101U 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5
针数：5Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.75Is Samacsys：N
其他特性：BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：COMPLEX
最小直流电流增益 (hFE)：50JESD-30 代码：R-PDSO-G5
元件数量：2端子数量：5
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN AND PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：200 MHzBase Number Matches：1

KRX101U 数据手册

 浏览型号KRX101U的Datasheet PDF文件第2页浏览型号KRX101U的Datasheet PDF文件第3页 
KRX101U  
EPITAXIAL PLANAR NPN/PNP TRANSISTOR  
SEMICONDUCTOR  
TECHNICAL DATA  
SWITCHING APPLICATION.  
INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION.  
B
FEATURES  
B1  
ᴌIncluding two devices in USV.  
(Ultra Super mini type with 5 leads.)  
ᴌWith Built-in bias resistors.  
ᴌSimplify circuit design.  
1
2
3
5
4
DIM MILLIMETERS  
_
A
A1  
B
2.00+0.20  
_
1.3+0.1  
_
2.1+0.1  
D
T
_
B1  
C
1.25+0.1  
0.65  
0.2+0.10/-0.05  
0-0.1  
ᴌReduce a quantity of parts and manufacturing process.  
D
G
_
H
T
0.9+0.1  
0.15+0.1/-0.05  
EQUIVALENT CIRCUIT  
G
Q
Q
2
1
OUT  
OUT  
1. Q COMMON (EMITTER)  
1
2. Q IN (BASE)  
3. Q COMMON (EMITTER)  
2
1
R1  
R1  
Q
, Q  
2
1
IN  
IN  
4. Q OUT (COLLECTOR)  
2
R1=10KΩ  
R2=10KΩ  
5. Q OUT (COLLECTOR)  
1
Q
IN (BASE)  
2
R2  
COMMON  
R2  
COMMON  
USV  
EQUIVALENT CIRCUIT (TOP VIEW)  
Marking  
Type Name  
4
5
4
5
Q1  
Q2  
BA  
1
2
3
1
2
3
Q1 MAXIMUM RATING (Ta=25ᴱ)  
CHARACTERISTIC  
Output Voltage  
SYMBOL  
RATING  
50  
UNIT  
V
VO  
VI  
IO  
Input Voltage  
30, -10  
100  
V
Output Current  
Ὠ
Q2 MAXIMUM RATING (Ta=25ᴱ)  
CHARACTERISTIC  
Output Voltage  
SYMBOL  
RATING  
-50  
UNIT  
V
VO  
VI  
IO  
Input Voltage  
-30, 10  
-100  
V
Output Current  
Ὠ
Q1, Q2 MAXIMUM RATING (Ta=25ᴱ)  
CHARACTERISTIC  
SYMBOL  
PD *  
RATING  
200  
UNIT  
Ὥ
Power Dissipation  
Tj  
Junction Temperature  
150  
ᴱ
Tstg  
Storage Temperature Range  
* Total Raing.  
-55ᴕ150  
ᴱ
2002. 1. 24  
Revision No : 2  
1/3  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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