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KMM966G256BQN-G2

更新时间: 2024-09-14 20:48:11
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 时钟动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
17页 497K
描述
Synchronous Graphics RAM Module, 256KX64, 8ns, CMOS

KMM966G256BQN-G2 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:DIMM, DIMM144,32
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.84
访问模式:DUAL BANK PAGE BURST最长访问时间:8 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK):83 MHz
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-XDMA-N144
内存密度:16777216 bit内存集成电路类型:SYNCHRONOUS GRAPHICS RAM MODULE
内存宽度:64功能数量:1
端口数量:1端子数量:144
字数:262144 words字数代码:256000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:256KX64
输出特性:3-STATE封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:DIMM封装等效代码:DIMM144,32
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:1024自我刷新:YES
最大待机电流:0.004 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.34 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:NO LEAD
端子节距:0.8 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

KMM966G256BQN-G2 数据手册

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