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KMM966G512AQN-G2

更新时间: 2024-09-16 10:52:43
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 时钟动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
17页 839K
描述
Synchronous DRAM Module, 512KX64, 9ns, CMOS, PDMA144

KMM966G512AQN-G2 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:DIMM, DIMM144,32
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
最长访问时间:9 ns最大时钟频率 (fCLK):83 MHz
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDMA-N144
内存密度:33554432 bit内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度:64端子数量:144
字数:524288 words字数代码:512000
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:512KX64输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIMM
封装等效代码:DIMM144,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:1024
最大待机电流:0.008 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.41 mA标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:NO LEAD
端子节距:0.8 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

KMM966G512AQN-G2 数据手册

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