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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.28 | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间： | 6 ns | 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH |
| JESD-30 代码： | R-XDMA-N144 | 内存密度： | 536870912 bit |
| 内存集成电路类型： | SYNCHRONOUS DRAM MODULE | 内存宽度： | 64 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 144 | 字数： | 8388608 words |
| 字数代码： | 8000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 8MX64 | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 认证状态： | Not Qualified | 自我刷新： | YES |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KMM464S824CT-GL | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 8MX64, 6ns, CMOS |
|
| KMM464S824DT1-FH | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 8MX64, 6ns, CMOS |
|
| KMM464S824DT1-FL | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 8MX64, 6ns, CMOS |
|
| KMM464S924BT1-FH | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 8MX64, 6ns, CMOS |
|
| KMM464S924BT1-FL | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 8MX64, 6ns, CMOS |
|
| KMM464S924BT1-GH | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 8MX64, 6ns, CMOS |
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| KMM464S924T1-FH | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 8MX64, 6ns, CMOS, SODIMM-144 |
|
| KMM464S924T1-FL | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 8MX64, 6ns, CMOS, SODIMM-144 |
|
| KMM466F124BT1-L5 | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM Module, 1MX64, 50ns, CMOS |
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| KMM466F124BT1-L6 | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM Module, 1MX64, 60ns, CMOS |
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