生命周期: | Obsolete | 包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.36 | 风险等级: | 5.84 |
访问模式: | FAST PAGE WITH EDO | 最长访问时间: | 50 ns |
其他特性: | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | JESD-30 代码: | R-XDMA-N168 |
内存密度: | 2415919104 bit | 内存集成电路类型: | EDO DRAM MODULE |
内存宽度: | 72 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 168 |
字数: | 33554432 words | 字数代码: | 32000000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 32MX72 | |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 认证状态: | Not Qualified |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | NO LEAD | 端子位置: | DUAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
KMM372E3280CK-6 | SAMSUNG |
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EDO DRAM Module, 32MX72, 60ns, CMOS | |
KMM372E400CK-5 | SAMSUNG |
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EDO DRAM Module, 4MX72, 50ns, CMOS | |
KMM372E400CK-6 | SAMSUNG |
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EDO DRAM Module, 4MX72, 60ns, CMOS | |
KMM372E400CS-5 | SAMSUNG |
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EDO DRAM Module, 4MX72, 50ns, CMOS | |
KMM372E400CS-6 | SAMSUNG |
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EDO DRAM Module, 4MX72, 60ns, CMOS | |
KMM372E410CK-6 | SAMSUNG |
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EDO DRAM Module, 4MX72, 60ns, CMOS | |
KMM372E410CS-5 | SAMSUNG |
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EDO DRAM Module, 4MX72, 50ns, CMOS | |
KMM372E803BS-5 | SAMSUNG |
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EDO DRAM Module, 8MX72, 50ns, CMOS | |
KMM372E803CK-6 | SAMSUNG |
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EDO DRAM Module, 8MX72, 60ns, CMOS | |
KMM372E803CS-6 | SAMSUNG |
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EDO DRAM Module, 8MX72, 60ns, CMOS |