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KMM372E803CS-6

更新时间: 2024-11-12 08:07:59
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
22页 465K
描述
EDO DRAM Module, 8MX72, 60ns, CMOS

KMM372E803CS-6 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:DIMM, DIMM168
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.32风险等级:5.69
访问模式:FAST PAGE WITH EDO最长访问时间:60 ns
其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESHI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XDMA-N168内存密度:603979776 bit
内存集成电路类型:EDO DRAM MODULE内存宽度:72
功能数量:1端口数量:1
端子数量:168字数:8388608 words
字数代码:8000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:8MX72输出特性:3-STATE
封装主体材料:UNSPECIFIED封装代码:DIMM
封装等效代码:DIMM168封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY电源:5 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:4096
最大待机电流:0.03 A子类别:Other Memory ICs
最大压摆率:0.99 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:NO LEAD
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

KMM372E803CS-6 数据手册

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DRAM MODULE  
KMM372E80(8)3CK/CS  
Buffered 8Mx72 DIMM  
(8Mx8 base)  
Revision 0.0  
June 1999  

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