5秒后页面跳转
KMM372F3200BK3-5 PDF预览

KMM372F3200BK3-5

更新时间: 2024-11-11 20:08:11
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
20页 479K
描述
EDO DRAM Module, 32MX72, 50ns, CMOS, DIMM-168

KMM372F3200BK3-5 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DIMM
包装说明:DIMM, DIMM168针数:168
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.36风险等级:5.84
访问模式:FAST PAGE WITH EDO最长访问时间:50 ns
其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESHI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XDMA-N168内存密度:2415919104 bit
内存集成电路类型:EDO DRAM MODULE内存宽度:72
功能数量:1端口数量:1
端子数量:168字数:33554432 words
字数代码:32000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:32MX72输出特性:3-STATE
封装主体材料:UNSPECIFIED封装代码:DIMM
封装等效代码:DIMM168封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:4096
座面最大高度:41.91 mm最大待机电流:0.03 A
子类别:Other Memory ICs最大压摆率:2.26 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:NO LEAD端子节距:1.27 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

KMM372F3200BK3-5 数据手册

 浏览型号KMM372F3200BK3-5的Datasheet PDF文件第2页浏览型号KMM372F3200BK3-5的Datasheet PDF文件第3页浏览型号KMM372F3200BK3-5的Datasheet PDF文件第4页浏览型号KMM372F3200BK3-5的Datasheet PDF文件第5页浏览型号KMM372F3200BK3-5的Datasheet PDF文件第6页浏览型号KMM372F3200BK3-5的Datasheet PDF文件第7页 
KMM372F320(8)0BK3  
DRAM MODULE  
KMM372F320(8)0BK3 EDO Mode  
32M x 72 DRAM DIMM with ECC Using 16Mx4, 4K & 8K Refresh, 3.3V  
GENERAL DESCRIPTION  
FEATURES  
• Part Identification  
The Samsung KMM372F320(8)0B is a 32Mx72bits Dynamic  
RAM high density memory module. The Samsung  
KMM372F320(8)0B consists of thirty-six CMOS 16Mx4bits  
DRAMs in SOJ 400mil packages and two 16 bits driver IC in  
TSSOP package mounted on a 168-pin glass-epoxy sub-  
strate. A 0.1 or 0.22uF decoupling capacitor is mounted on  
the printed circuit board for each DRAM. The  
KMM372F320(8)0B is a Dual In-line Memory Module and is  
intended for mounting into 168 pin edge connector sockets.  
Part number  
PKG  
Ref. CBR Ref. ROR Ref.  
KMM372F3200BK3  
KMM372F3280BK3  
SOJ  
SOJ  
4K  
8K  
4K/64ms  
4K/64ms 8K/64ms  
• Extended Data Out Mode Operation  
• CAS-before-RAS Refresh capability  
• RAS-only and Hidden refresh capability  
• LVTTL compatible inputs and outputs  
• Single 3.3V±0.3V power supply  
PERFORMANCE RANGE  
Speed  
tRAC  
50ns  
60ns  
tCAC  
18ns  
20ns  
tRC  
tHPC  
20ns  
25ns  
• JEDEC standard pinout & Buffered PDpin  
• Buffered input except RAS and DQ  
-5  
84ns  
104ns  
-6  
• PCB : Height(1650mil), double sided component  
PIN CONFIGURATIONS  
PIN NAMES  
Pin  
Pin Front Pin Front  
Front Pin Back Pin Back Pin Back  
Pin Names  
Function  
A0, B0, A1 - A11 Address Input(4K ref.)  
A0, B0, A1 - A12 Address Input(8K ref.)  
57  
58  
59  
60  
61  
62  
63  
64  
65  
66  
67  
68  
69  
70  
71  
72  
73  
74  
75  
76  
77  
78  
79  
80  
81  
82  
83  
84  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
VSS  
29 *CAS2  
DQ22 85  
DQ23 86 DQ36 114 RAS1 142 DQ59  
87 DQ37 115 RFU 143 VCC  
DQ24 88 DQ38 116 VSS 144 DQ60  
VSS 113 *CAS3 141 DQ58  
DQ0 30 RAS0  
DQ1 31 OE0  
DQ2 32  
DQ3 33  
DQ0 - DQ71  
W0, W2  
OE0, OE2  
RAS0 - RAS3  
CAS0, 1,4,5  
VCC  
Data In/Out  
VCC  
VSS  
A0  
Read/Write Enable  
Output Enable  
RFU 89 DQ39 117  
RFU 90 VCC 118  
RFU 91 DQ40 119  
RFU 92 DQ41 120  
DQ25 93 DQ42 121  
A1  
A3  
A5  
A7  
A9  
145 RFU  
146 RFU  
147 RFU  
148 RFU  
149 DQ61  
VCC  
34  
A2  
Row Address Strobe  
Column Address Strobe  
Power(+3.3V)  
DQ4 35  
DQ5 36  
DQ6 37  
A4  
A6  
A8  
10 DQ7 38  
11 DQ8 39  
12  
13 DQ9 41 RFU  
14 DQ10 42 RFU  
15 DQ11 43  
16 DQ12 44 OE2  
17 DQ13 45 RAS2  
18  
19 DQ14 47 *CAS6  
20 DQ15 48  
21 DQ16 49  
22 DQ17 50 RSVD  
23 51 RSVD  
24 RSVD 52 DQ18  
25 RSVD 53 DQ19  
26  
27  
A10  
A12  
VCC  
DQ26 94 DQ43 122 A11 150 DQ62  
DQ27 95 DQ44 123 *A13 151 DQ63  
VSS  
Ground  
NC  
No Connection  
Presence Detect Enable  
Presence Detect  
ID bit  
VSS  
40  
VSS  
96  
DQ28 97 DQ45 125 RFU 153 DQ64  
DQ29 98 DQ46 126 B0 154 DQ65  
VSS 124 VCC 152 VSS  
PDE  
PD1 - 8  
ID0 - 1  
VSS  
DQ30 99 DQ47 127 VSS 155 DQ66  
DQ31 100 DQ48 128 RFU 156 DQ67  
VCC 101 DQ49 129 RAS3 157 VCC  
DQ32 102 VCC 130 CAS5 158 DQ68  
DQ33 103 DQ50 131 *CAS7 159 DQ69  
DQ34 104 DQ51 132 PDE 160 DQ70  
DQ35 105 DQ52 133 VCC 161 DQ71  
VSS 106 DQ53 134 RSVD 162 VSS  
PD1 107 VSS 135 RSVD 163 PD2  
PD3 108 RSVD 136 DQ54 164 PD4  
PD5 109 RSVD 137 DQ55 165 PD6  
PD7 110 VCC 138 VSS 166 PD8  
ID0 111 RFU 139 DQ56 167 ID1  
VCC 112 CAS1 140 DQ57 168 VCC  
RSVD  
Reserved Use  
VCC  
46 CAS4  
RFU  
Reserved for Future Use  
Pins marked ¢*¢ are not used in this module.  
W2  
VCC  
PD & ID Table  
Pin  
50NS  
60NS  
VSS  
PD1  
PD2  
PD3  
PD4  
PD5  
PD6  
PD7  
PD8  
1
0
0
0
1
0
0
0
1
0
0
0
1
1
1
0
VCC  
W0  
54  
VSS  
55 DQ20  
28 CAS0 56 DQ21  
NOTE : A12 is used for only KMM372F3280BK3 (8K Ref.)  
ID0  
ID1  
0
0
0
0
PD Note :PD & ID Terminals must each be pulled up through a register to V CC at the next higher  
level assembly. PDs will be either open (NC) or driven to V SS via on-board buffer circuits.  
ID Note : IDs will be either open (NC) or connected directly to V SS without a buffer.  
PD : 0 for Vol of Drive IC & 1 for N.C  
ID : 0 for Vss & 1 for N.C  

与KMM372F3200BK3-5相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KMM372F3200BK3-6 SAMSUNG

获取价格

EDO DRAM Module, 32MX72, 60ns, CMOS, DIMM-168
KMM372F3200BK4-6 SAMSUNG

获取价格

EDO DRAM Module, 32MX72, 60ns, CMOS
KMM372F3200BS1 SAMSUNG

获取价格

32M x 72 DRAM DIMM with ECC using 16Mx4, 4K 8K Refresh, 3.3V
KMM372F3200BS1-6 SAMSUNG

获取价格

EDO DRAM Module, 32MX72, 60ns, CMOS, DIMM-168
KMM372F3200CK3-6 SAMSUNG

获取价格

EDO DRAM Module, 32MX72, 60ns, CMOS
KMM372F3200CK4-6 SAMSUNG

获取价格

EDO DRAM Module, 32MX72, 60ns, CMOS
KMM372F3200CS1 SAMSUNG

获取价格

32M x 72 DRAM DIMM with ECC using 16Mx4, 4K 8K Refresh, 3.3V
KMM372F3200CS1-5 SAMSUNG

获取价格

EDO DRAM Module, 32MX72, 50ns, CMOS, GLASS EPOXY, DIMM-168
KMM372F3280AS-7 SAMSUNG

获取价格

暂无描述
KMM372F3280BK3 SAMSUNG

获取价格

32M x 72 DRAM DIMM with ECC using 16Mx4, 4K 8K Refresh, 3.3V