生命周期: | Obsolete | 包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.28 | 风险等级: | 5.84 |
Is Samacsys: | N | 访问模式: | FAST PAGE WITH EDO |
最长访问时间: | 50 ns | 其他特性: | CAS BEFORE RAS REFRESH; RAS ONLY/HIDDEN REFRESH |
JESD-30 代码: | R-XDMA-N168 | 内存密度: | 301989888 bit |
内存集成电路类型: | EDO DRAM MODULE | 内存宽度: | 72 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 168 | 字数: | 4194304 words |
字数代码: | 4000000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 4MX72 | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
认证状态: | Not Qualified | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | NO LEAD |
端子位置: | DUAL | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
KMM372E400CK-6 | SAMSUNG |
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EDO DRAM Module, 4MX72, 60ns, CMOS | |
KMM372E400CS-5 | SAMSUNG |
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EDO DRAM Module, 4MX72, 50ns, CMOS | |
KMM372E400CS-6 | SAMSUNG |
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EDO DRAM Module, 4MX72, 60ns, CMOS | |
KMM372E410CK-6 | SAMSUNG |
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EDO DRAM Module, 4MX72, 60ns, CMOS | |
KMM372E410CS-5 | SAMSUNG |
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EDO DRAM Module, 4MX72, 50ns, CMOS | |
KMM372E803BS-5 | SAMSUNG |
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EDO DRAM Module, 8MX72, 50ns, CMOS | |
KMM372E803CK-6 | SAMSUNG |
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EDO DRAM Module, 8MX72, 60ns, CMOS | |
KMM372E803CS-6 | SAMSUNG |
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EDO DRAM Module, 8MX72, 60ns, CMOS | |
KMM372E883BK-6 | SAMSUNG |
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EDO DRAM Module, 8MX72, 60ns, CMOS | |
KMM372E883BS-6 | SAMSUNG |
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EDO DRAM Module, 8MX72, 60ns, CMOS |