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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.28 | 风险等级： | 5.84 |
| 访问模式： | FAST PAGE WITH EDO | 最长访问时间： | 50 ns |
| 其他特性： | CAS BEFORE RAS REFRESH; RAS ONLY/HIDDEN REFRESH | JESD-30 代码： | R-XDMA-N168 |
| 内存密度： | 301989888 bit | 内存集成电路类型： | EDO DRAM MODULE |
| 内存宽度： | 72 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 168 |
| 字数： | 4194304 words | 字数代码： | 4000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 4MX72 | |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KMM372E400CS-6 | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM Module, 4MX72, 60ns, CMOS |
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| KMM372E410CK-6 | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM Module, 4MX72, 60ns, CMOS |
|
| KMM372E410CS-5 | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM Module, 4MX72, 50ns, CMOS |
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| KMM372E803BS-5 | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM Module, 8MX72, 50ns, CMOS |
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| KMM372E803CK-6 | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM Module, 8MX72, 60ns, CMOS |
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| KMM372E803CS-6 | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM Module, 8MX72, 60ns, CMOS |
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| KMM372E883BK-6 | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM Module, 8MX72, 60ns, CMOS |
|
| KMM372E883BS-6 | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM Module, 8MX72, 60ns, CMOS |
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| KMM372E883CS-5 | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM Module, 8MX72, 50ns, CMOS |
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| KMM372F1600BK | SAMSUNG |
获取价格 |
16M x 72 DRAM DIMM with ECC using 16Mx4, 4K 8K Refresh, 3.3V |
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