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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.24 | 风险等级： | 5.84 |
| 访问模式： | DUAL BANK PAGE BURST | 最长访问时间： | 6 ns |
| 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH | JESD-30 代码： | R-XDMA-N168 |
| 内存密度： | 268435456 bit | 内存集成电路类型： | SYNCHRONOUS DRAM MODULE |
| 内存宽度： | 64 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 168 |
| 字数： | 4194304 words | 字数代码： | 4000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 4MX64 | |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 认证状态： | Not Qualified |
| 自我刷新： | YES | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KMM366S424BT-G8 | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 4MX64, 8ns, CMOS |
|
| KMM366S424BT-GL | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 4MX64, 10ns, CMOS |
|
| KMM366S424CTF-G0 | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 4MX64, 7ns, CMOS |
|
| KMM366S823BT-GL | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 8MX64, 6ns, CMOS |
|
| KMM366S823CT-G80 | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 8MX64, 6ns, CMOS, DIMM-168 |
|
| KMM366S924ATS-GH | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 8MX64, 6ns, CMOS |
|
| KMM366S924ATS-GL | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 8MX64, 6ns, CMOS |
|
| KMM368L1713BT-F0 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 16MX64, 0.8ns, CMOS, DIMM-184 |
|
| KMM368L1713BT-FY | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 16MX64, 0.75ns, CMOS, DIMM-184 |
|
| KMM368L1713BT-FZ | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 16MX64, 0.75ns, CMOS, DIMM-184 |
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