生命周期: | Obsolete | 包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.28 | 风险等级: | 5.74 |
访问模式: | FOUR BANK PAGE BURST | 最长访问时间: | 6 ns |
其他特性: | AUTO/SELF REFRESH | JESD-30 代码: | R-XDMA-N168 |
内存密度: | 536870912 bit | 内存集成电路类型: | SYNCHRONOUS DRAM MODULE |
内存宽度: | 64 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 168 |
字数: | 8388608 words | 字数代码: | 8000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 8MX64 | |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 认证状态: | Not Qualified |
自我刷新: | YES | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | NO LEAD |
端子位置: | DUAL | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
KMM366S823CT-G80 | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 8MX64, 6ns, CMOS, DIMM-168 | |
KMM366S924ATS-GH | SAMSUNG |
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Synchronous DRAM Module, 8MX64, 6ns, CMOS | |
KMM366S924ATS-GL | SAMSUNG |
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Synchronous DRAM Module, 8MX64, 6ns, CMOS | |
KMM368L1713BT-F0 | SAMSUNG |
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DDR DRAM Module, 16MX64, 0.8ns, CMOS, DIMM-184 | |
KMM368L1713BT-FY | SAMSUNG |
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DDR DRAM Module, 16MX64, 0.75ns, CMOS, DIMM-184 | |
KMM368L1713BT-FZ | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 16MX64, 0.75ns, CMOS, DIMM-184 | |
KMM368L1713BT-GZ | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 16MX64, 0.75ns, CMOS, DIMM-184 | |
KMM368L1714BT-F0 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 16MX64, 0.8ns, CMOS, DIMM-184 | |
KMM368L1714BT-FY | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 16MX64, 0.75ns, CMOS, DIMM-184 | |
KMM368L1714BT-G0 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 16MX64, 0.8ns, CMOS, DIMM-184 |