5秒后页面跳转
KMM366S823BT-GL PDF预览

KMM366S823BT-GL

更新时间: 2024-11-11 20:10:51
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 431K
描述
Synchronous DRAM Module, 8MX64, 6ns, CMOS

KMM366S823BT-GL 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.28风险等级:5.74
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间:6 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESHJESD-30 代码:R-XDMA-N168
内存密度:536870912 bit内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度:64功能数量:1
端口数量:1端子数量:168
字数:8388608 words字数代码:8000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:8MX64
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY认证状态:Not Qualified
自我刷新:YES最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:NO LEAD
端子位置:DUALBase Number Matches:1

KMM366S823BT-GL 数据手册

 浏览型号KMM366S823BT-GL的Datasheet PDF文件第2页浏览型号KMM366S823BT-GL的Datasheet PDF文件第3页浏览型号KMM366S823BT-GL的Datasheet PDF文件第4页浏览型号KMM366S823BT-GL的Datasheet PDF文件第5页浏览型号KMM366S823BT-GL的Datasheet PDF文件第6页浏览型号KMM366S823BT-GL的Datasheet PDF文件第7页 

与KMM366S823BT-GL相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KMM366S823CT-G80 SAMSUNG

获取价格

Synchronous DRAM Module, 8MX64, 6ns, CMOS, DIMM-168
KMM366S924ATS-GH SAMSUNG

获取价格

Synchronous DRAM Module, 8MX64, 6ns, CMOS
KMM366S924ATS-GL SAMSUNG

获取价格

Synchronous DRAM Module, 8MX64, 6ns, CMOS
KMM368L1713BT-F0 SAMSUNG

获取价格

DDR DRAM Module, 16MX64, 0.8ns, CMOS, DIMM-184
KMM368L1713BT-FY SAMSUNG

获取价格

DDR DRAM Module, 16MX64, 0.75ns, CMOS, DIMM-184
KMM368L1713BT-FZ SAMSUNG

获取价格

DDR DRAM Module, 16MX64, 0.75ns, CMOS, DIMM-184
KMM368L1713BT-GZ SAMSUNG

获取价格

DDR DRAM Module, 16MX64, 0.75ns, CMOS, DIMM-184
KMM368L1714BT-F0 SAMSUNG

获取价格

DDR DRAM Module, 16MX64, 0.8ns, CMOS, DIMM-184
KMM368L1714BT-FY SAMSUNG

获取价格

DDR DRAM Module, 16MX64, 0.75ns, CMOS, DIMM-184
KMM368L1714BT-G0 SAMSUNG

获取价格

DDR DRAM Module, 16MX64, 0.8ns, CMOS, DIMM-184