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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIMM |
| 包装说明： | , | 针数： | 184 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.28 | 风险等级： | 5.84 |
| 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST | 最长访问时间： | 0.75 ns |
| 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH | JESD-30 代码： | R-XDMA-N184 |
| 内存密度： | 536870912 bit | 内存集成电路类型： | DDR DRAM MODULE |
| 内存宽度： | 64 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 184 |
| 字数： | 8388608 words | 字数代码： | 8000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 8MX64 | |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 认证状态： | Not Qualified |
| 自我刷新： | YES | 最大供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 2.5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KMM368L914BT-G0 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 8MX64, 0.8ns, CMOS, DIMM-184 |
|
| KMM368L914BT-GY | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 8MX64, 0.75ns, CMOS, DIMM-184 |
|
| KMM368L914BT-GZ | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 8MX64, 0.75ns, CMOS, DIMM-184 |
|
| KMM37 | TYSEMI |
获取价格 |
SILICON PLANAR ZENER DIODES |
|
| KMM372C120CJ1-6 | SAMSUNG |
获取价格 |
Fast Page DRAM Module, 1MX72, 60ns, CMOS, DIMM-168 |
|
| KMM372C1600BK | SAMSUNG |
获取价格 |
16M x 72 DRAM DIMM with ECC Using 16Mx4, 4K 8K Refresh 5V |
|
| KMM372C1600BS | SAMSUNG |
获取价格 |
16M x 72 DRAM DIMM with ECC Using 16Mx4, 4K 8K Refresh 5V |
|
| KMM372C1600BS-6 | SAMSUNG |
获取价格 |
Fast Page DRAM Module, 16MX72, 60ns, CMOS, GLASS EPOXY, DIMM-168 |
|
| KMM372C1600CK-5 | SAMSUNG |
获取价格 |
Fast Page DRAM Module, 16MX72, 50ns, CMOS |
|
| KMM372C1608BS-5 | SAMSUNG |
获取价格 |
DRAM |
|
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