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| 生命周期： | Active | 包装说明： | DIMM, |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.74 |
| Is Samacsys： | N | 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间： | 6 ns | 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX |
| JESD-30 代码： | R-XDMA-N168 | 长度： | 133.35 mm |
| 内存密度： | 536870912 bit | 内存集成电路类型： | SYNCHRONOUS DRAM MODULE |
| 内存宽度： | 64 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 168 |
| 字数： | 8388608 words | 字数代码： | 8000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 8MX64 | |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装代码： | DIMM |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 座面最大高度： | 35.055 mm | 自我刷新： | YES |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 2.54 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KMM366S924ATS-GH | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 8MX64, 6ns, CMOS |
|
| KMM366S924ATS-GL | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 8MX64, 6ns, CMOS |
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| KMM368L1713BT-F0 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 16MX64, 0.8ns, CMOS, DIMM-184 |
|
| KMM368L1713BT-FY | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 16MX64, 0.75ns, CMOS, DIMM-184 |
|
| KMM368L1713BT-FZ | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 16MX64, 0.75ns, CMOS, DIMM-184 |
|
| KMM368L1713BT-GZ | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 16MX64, 0.75ns, CMOS, DIMM-184 |
|
| KMM368L1714BT-F0 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 16MX64, 0.8ns, CMOS, DIMM-184 |
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| KMM368L1714BT-FY | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 16MX64, 0.75ns, CMOS, DIMM-184 |
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| KMM368L1714BT-G0 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 16MX64, 0.8ns, CMOS, DIMM-184 |
|
| KMM368L1714BT-GY | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 16MX64, 0.75ns, CMOS, DIMM-184 |
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