生命周期: | Transferred | 包装说明: | SOP, |
Reach Compliance Code: | unknown | HTS代码: | 8542.31.00.01 |
风险等级: | 5.8 | 具有ADC: | NO |
其他特性: | OPERATES AT 3.3V SUPPLY @ 2.1 MHZ | 地址总线宽度: | |
位大小: | 8 | 最大时钟频率: | 8 MHz |
DAC 通道: | NO | DMA 通道: | NO |
外部数据总线宽度: | JESD-30 代码: | R-PDSO-G16 | |
长度: | 10.3 mm | I/O 线路数量: | 10 |
端子数量: | 16 | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | PWM 通道: | NO |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOP |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
认证状态: | Not Qualified | ROM可编程性: | OTPROM |
座面最大高度: | 2.65 mm | 速度: | 4 MHz |
最大供电电压: | 5.5 V | 最小供电电压: | 4.5 V |
标称供电电压: | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | HCMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 宽度: | 7.5 mm |
uPs/uCs/外围集成电路类型: | MICROCONTROLLER | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
KMCJ5321000-6 | SAMSUNG |
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DRAM Card, 1MX32, 60ns, MOS | |
KMCJ5321000-7 | SAMSUNG |
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DRAM Card, 1MX32, 70ns, MOS | |
KMCJ5322000-6 | SAMSUNG |
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DRAM Card, 2MX32, 60ns, MOS | |
KMCJ5322000-8 | SAMSUNG |
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DRAM Card, 2MX32, 80ns, MOS | |
KMCJ5324000-7 | SAMSUNG |
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DRAM Card, 4MX32, 70ns, MOS | |
KMCJ5324000-8 | SAMSUNG |
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DRAM Card, 4MX32, 80ns, MOS | |
KMCJ5324100-6 | SAMSUNG |
获取价格 |
DRAM Card, 4MX32, 60ns, MOS | |
KMCJ5324100-7 | SAMSUNG |
获取价格 |
DRAM Card, 4MX32, 70ns, MOS | |
KMCJ5324100-8 | SAMSUNG |
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DRAM Card, 4MX32, 80ns, MOS | |
KMCJ532512-6 | SAMSUNG |
获取价格 |
DRAM Card, 512KX32, 60ns, MOS |