5秒后页面跳转
KMCJ536512-7 PDF预览

KMCJ536512-7

更新时间: 2024-11-18 20:49:51
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 305K
描述
DRAM Card, 512KX36, 70ns, MOS

KMCJ536512-7 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.84
访问模式:FAST PAGE最长访问时间:70 ns
其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH备用内存宽度:18
JESD-30 代码:X-XXMA-X88内存密度:18874368 bit
内存集成电路类型:DRAM CARD内存宽度:36
功能数量:1端口数量:1
端子数量:88字数:524288 words
字数代码:512000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:512KX36输出特性:3-STATE
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:UNSPECIFIED
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY认证状态:Not Qualified
刷新周期:1024最大供电电压 (Vsup):5.25 V
最小供电电压 (Vsup):4.75 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:MOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UNSPECIFIEDBase Number Matches:1

KMCJ536512-7 数据手册

 浏览型号KMCJ536512-7的Datasheet PDF文件第2页浏览型号KMCJ536512-7的Datasheet PDF文件第3页浏览型号KMCJ536512-7的Datasheet PDF文件第4页浏览型号KMCJ536512-7的Datasheet PDF文件第5页浏览型号KMCJ536512-7的Datasheet PDF文件第6页浏览型号KMCJ536512-7的Datasheet PDF文件第7页 

与KMCJ536512-7相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KMCJ536512-8 SAMSUNG

获取价格

DRAM Card, 512KX36, 80ns, MOS
KMCJ6161000-15 SAMSUNG

获取价格

Non-Volatile SRAM, 2MX8, 150ns, MOS
KMCJ6161000-20 SAMSUNG

获取价格

Non-Volatile SRAM, 2MX8, 200ns, MOS
KMCJ6161000-25 SAMSUNG

获取价格

Non-Volatile SRAM, 2MX8, 250ns, MOS
KMCJ616256-15 SAMSUNG

获取价格

Non-Volatile SRAM, 512KX8, 150ns, MOS
KMCJ616512-15 SAMSUNG

获取价格

Non-Volatile SRAM, 1MX8, 150ns, MOS
KMCJ616512-20 SAMSUNG

获取价格

Non-Volatile SRAM, 1MX8, 200ns, MOS
KMCL11D0CFB2 MOTOROLA

获取价格

Microcontroller, 8-Bit, MROM, 2MHz, HCMOS, PQFP44, 10 X 10 MM, 2 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH,
KMCL11F1CFN3 MOTOROLA

获取价格

Microcontroller, 8-Bit, MROM, 3MHz, HCMOS, PQCC68, PLASTIC, LCC-68
KMCL705KJ1CDW MOTOROLA

获取价格

8-BIT, OTPROM, 4MHz, MICROCONTROLLER, PDSO16, SOIC-16