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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.02 | 风险等级： | 5.84 |
| 访问模式： | FAST PAGE | 最长访问时间： | 70 ns |
| 其他特性： | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | 备用内存宽度： | 16 |
| JESD-30 代码： | X-XXMA-X88 | 内存密度： | 67108864 bit |
| 内存集成电路类型： | DRAM CARD | 内存宽度： | 32 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 88 | 字数： | 2097152 words |
| 字数代码： | 2000000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 2MX32 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | UNSPECIFIED |
| 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 1024 | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | MOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UNSPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KMCV5322000-8 | SAMSUNG |
获取价格 |
DRAM Card, 2MX32, 80ns, MOS |
|
| KMCV5324000-7 | SAMSUNG |
获取价格 |
DRAM Card, 4MX32, 70ns, MOS |
|
| KMCV5324000-8 | SAMSUNG |
获取价格 |
DRAM Card, 4MX32, 80ns, MOS |
|
| KMCV5324100-7 | SAMSUNG |
获取价格 |
DRAM Card, 4MX32, 70ns, MOS |
|
| KMCV5324100-8 | SAMSUNG |
获取价格 |
DRAM Card, 4MX32, 80ns, MOS |
|
| KMCV532512-7 | SAMSUNG |
获取价格 |
DRAM Card, 512KX32, 70ns, MOS |
|
| KMCV532512-8 | SAMSUNG |
获取价格 |
DRAM Card, 512KX32, 80ns, MOS |
|
| KMD100S-T | RECTRON |
获取价格 |
Rectifier Diode, |
|
| KMD150S | RECTRON |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, |
|
| KMD150SJ | RECTRON |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, |
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