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KMCJ6161000-20

更新时间: 2024-11-18 20:59:11
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
16页 317K
描述
Non-Volatile SRAM, 2MX8, 200ns, MOS

KMCJ6161000-20 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.84
最长访问时间:200 ns备用内存宽度:16
JESD-30 代码:X-XXMA-X68内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:NON-VOLATILE SRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:68字数:2097152 words
字数代码:2000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:55 °C最低工作温度:
组织:2MX8输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:UNSPECIFIED封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
最大供电电压 (Vsup):5.25 V最小供电电压 (Vsup):4.75 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:MOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UNSPECIFIED
Base Number Matches:1

KMCJ6161000-20 数据手册

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