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KMCJ616512-15

更新时间: 2024-11-21 15:45:03
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
16页 321K
描述
Non-Volatile SRAM, 1MX8, 150ns, MOS

KMCJ616512-15 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.84
Is Samacsys:N最长访问时间:150 ns
备用内存宽度:16JESD-30 代码:X-XXMA-X68
内存密度:8388608 bit内存集成电路类型:NON-VOLATILE SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:68
字数:1048576 words字数代码:1000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:55 °C
最低工作温度:组织:1MX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:UNSPECIFIED
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified最大供电电压 (Vsup):5.25 V
最小供电电压 (Vsup):4.75 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:MOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UNSPECIFIEDBase Number Matches:1

KMCJ616512-15 数据手册

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