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KMCV5324000-8

更新时间: 2024-11-21 20:01:43
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 306K
描述
DRAM Card, 4MX32, 80ns, MOS

KMCV5324000-8 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.84
访问模式:FAST PAGE最长访问时间:80 ns
其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH备用内存宽度:16
JESD-30 代码:X-XXMA-X88内存密度:134217728 bit
内存集成电路类型:DRAM CARD内存宽度:32
功能数量:1端口数量:1
端子数量:88字数:4194304 words
字数代码:4000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:4MX32输出特性:3-STATE
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:UNSPECIFIED
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY认证状态:Not Qualified
刷新周期:4096最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:NO技术:MOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UNSPECIFIEDBase Number Matches:1

KMCV5324000-8 数据手册

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