生命周期: | Obsolete | 包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.02 | 风险等级: | 5.84 |
访问模式: | FAST PAGE | 最长访问时间: | 60 ns |
其他特性: | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | 备用内存宽度: | 16 |
JESD-30 代码: | X-XXMA-X88 | 内存密度: | 16777216 bit |
内存集成电路类型: | DRAM CARD | 内存宽度: | 32 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 88 | 字数: | 524288 words |
字数代码: | 512000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 512KX32 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装形状: | UNSPECIFIED |
封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 1024 | 最大供电电压 (Vsup): | 5.25 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.75 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | MOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | UNSPECIFIED |
端子位置: | UNSPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
KMCJ532512-7 | SAMSUNG |
获取价格 |
DRAM Card, 512KX32, 70ns, MOS | |
KMCJ5361000-6 | SAMSUNG |
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DRAM Card, 1MX36, 60ns, MOS | |
KMCJ5361000-7 | SAMSUNG |
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DRAM Card, 1MX36, 70ns, MOS | |
KMCJ5361000-8 | SAMSUNG |
获取价格 |
DRAM Card, 1MX36, 80ns, MOS | |
KMCJ5362000-6 | SAMSUNG |
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DRAM Card, 2MX36, 60ns, MOS | |
KMCJ5362000-7 | SAMSUNG |
获取价格 |
DRAM Card, 2MX36, 70ns, MOS | |
KMCJ5362000-8 | SAMSUNG |
获取价格 |
DRAM Card, 2MX36, 80ns, MOS | |
KMCJ5364100-8 | SAMSUNG |
获取价格 |
DRAM Card, 4MX36, 80ns, MOS | |
KMCJ536512-6 | SAMSUNG |
获取价格 |
DRAM Card, 512KX36, 60ns, MOS | |
KMCJ536512-7 | SAMSUNG |
获取价格 |
DRAM Card, 512KX36, 70ns, MOS |