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KMCJ5361000-6

更新时间: 2024-09-16 18:53:27
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 317K
描述
DRAM Card, 1MX36, 60ns, MOS

KMCJ5361000-6 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.84
访问模式:FAST PAGE最长访问时间:60 ns
其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH备用内存宽度:18
JESD-30 代码:X-XXMA-X88内存密度:37748736 bit
内存集成电路类型:DRAM CARD内存宽度:36
功能数量:1端口数量:1
端子数量:88字数:1048576 words
字数代码:1000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:1MX36输出特性:3-STATE
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:UNSPECIFIED
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY认证状态:Not Qualified
刷新周期:1024最大供电电压 (Vsup):5.25 V
最小供电电压 (Vsup):4.75 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:MOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UNSPECIFIEDBase Number Matches:1

KMCJ5361000-6 数据手册

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