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KM718B87J-9

更新时间: 2024-11-14 20:01:11
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三星 - SAMSUNG 信息通信管理静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
1页 41K
描述
Standard SRAM, 64KX18, 9ns, BICMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52

KM718B87J-9 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:LCC
包装说明:QCCJ,针数:52
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.84
最长访问时间:9 nsJESD-30 代码:S-PQCC-J52
长度:19.05 mm内存密度:1179648 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:18
功能数量:1端子数量:52
字数:65536 words字数代码:64000
工作模式:SYNCHRONOUS组织:64KX18
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:QCCJ
封装形状:SQUARE封装形式:CHIP CARRIER
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
座面最大高度:4.52 mm标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:BICMOS
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:QUAD宽度:19.05 mm
Base Number Matches:1

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