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KM681000L-10

更新时间: 2024-09-16 07:18:27
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 382K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 10ns, CMOS, PDIP32

KM681000L-10 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP32,.6Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.92最长访问时间:10 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDIP-T32
JESD-609代码:e0内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
湿度敏感等级:3端子数量:32
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:128KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装等效代码:DIP32,.6
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):260
电源:5 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.001 A最小待机电流:4.5 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.07 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40

KM681000L-10 数据手册

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