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KM681001BLJ-15

更新时间: 2024-11-06 18:28:43
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 382K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 15ns, CMOS, PDSO32

KM681001BLJ-15 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
包装说明:SOJ, SOJ32,.44Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92Is Samacsys:N
最长访问时间:15 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-J32JESD-609代码:e0
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8端子数量:32
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:128KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ封装等效代码:SOJ32,.44
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.00035 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.13 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

KM681001BLJ-15 数据手册

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