5秒后页面跳转
KM681001BLSJI-20 PDF预览

KM681001BLSJI-20

更新时间: 2024-11-26 18:28:43
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 382K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, PDSO32

KM681001BLSJI-20 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:SOJ, SOJ32,.34Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最长访问时间:20 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-J32
JESD-609代码:e0内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
端子数量:32字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:128KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOJ
封装等效代码:SOJ32,.34封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.00035 A最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.11 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

KM681001BLSJI-20 数据手册

 浏览型号KM681001BLSJI-20的Datasheet PDF文件第2页浏览型号KM681001BLSJI-20的Datasheet PDF文件第3页浏览型号KM681001BLSJI-20的Datasheet PDF文件第4页浏览型号KM681001BLSJI-20的Datasheet PDF文件第5页浏览型号KM681001BLSJI-20的Datasheet PDF文件第6页浏览型号KM681001BLSJI-20的Datasheet PDF文件第7页 

与KM681001BLSJI-20相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KM681001BSJ-15 ETC

获取价格

x8 SRAM
KM681001BSJ-17 SAMSUNG

获取价格

Standard SRAM, 128KX8, 17ns, CMOS, PDSO32
KM681001BSJ-20 ETC

获取价格

x8 SRAM
KM681001BSJI-15 SAMSUNG

获取价格

Standard SRAM, 128KX8, 15ns, CMOS, PDSO32
KM681001BSJI-17 ETC

获取价格

x8 SRAM
KM681001BSJI-20 SAMSUNG

获取价格

Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, PDSO32
KM681001J-20 SAMSUNG

获取价格

Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
KM681001J-25 SAMSUNG

获取价格

Standard SRAM, 128KX8, 25ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
KM681001LJ-25 SAMSUNG

获取价格

Standard SRAM, 128KX8, 25ns, CMOS, PDSO32
KM681001LJ-35 SAMSUNG

获取价格

Standard SRAM, 128KX8, 35ns, CMOS, PDSO32