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KM681000BL-LP-85L-L

更新时间: 2024-11-05 19:39:11
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
1页 50K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 85ns, CMOS, PDIP32, DIP-32

KM681000BL-LP-85L-L 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:DIP,针数:32
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.69
最长访问时间:85 nsJESD-30 代码:R-PDIP-T32
长度:41.91 mm内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:32
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS组织:128KX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
座面最大高度:5.08 mm标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL宽度:15.24 mm
Base Number Matches:1

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