5秒后页面跳转
KM681000BLP70 PDF预览

KM681000BLP70

更新时间: 2024-11-25 20:03:55
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
1页 38K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDIP32, DIP-32

KM681000BLP70 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:DIP,针数:32
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.82
Is Samacsys:N最长访问时间:70 ns
JESD-30 代码:R-PDIP-T32长度:41.91 mm
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:32
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:128KX8
可输出:YES封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified座面最大高度:5.08 mm
最小待机电流:2 V最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
宽度:15.24 mmBase Number Matches:1

KM681000BLP70 数据手册

  

与KM681000BLP70相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KM681000BLP70-L SAMSUNG

获取价格

Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDIP32, DIP-32
KM681000BLP-7L SAMSUNG

获取价格

128K x8 bit Low Power CMOS Static RAM
KM681000BLP-8L SAMSUNG

获取价格

Standard SRAM, 128KX8, 85ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, DIP-32
KM681000BLR-10 SAMSUNG

获取价格

Standard SRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, REVERSE, TSOP1-32
KM681000BLR100 SAMSUNG

获取价格

Standard SRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, PLASTIC, REVERSE, TSOP-32
KM681000BLR100-L SAMSUNG

获取价格

Standard SRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, PLASTIC, REVERSE, TSOP-32
KM681000BLR-10L SAMSUNG

获取价格

Standard SRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, REVERSE, TSOP1-32
KM681000BLR12L SAMSUNG

获取价格

SRAM
KM681000BLR-5 SAMSUNG

获取价格

128K x8 bit Low Power CMOS Static RAM
KM681000BLR55-L SAMSUNG

获取价格

Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, PLASTIC, REVERSE, TSOP-32