是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TSOP1 | 包装说明: | TSSOP, TSSOP32,.8,20 |
针数: | 32 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.88 | 最长访问时间: | 70 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDSO-G32 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 20 mm |
内存密度: | 1048576 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 131072 words | 字数代码: | 128000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -25 °C | 组织: | 128KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | YES |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSSOP |
封装等效代码: | TSSOP32,.8,20 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 反向引出线: | YES |
座面最大高度: | 1.2 mm | 最大待机电流: | 0.00005 A |
最小待机电流: | 2 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.07 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | OTHER | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.5 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 8 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
KM681000BLRE-7L | SAMSUNG |
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128K x8 bit Low Power CMOS Static RAM | |
KM681000BLRI-10 | SAMSUNG |
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128K x8 bit Low Power CMOS Static RAM | |
KM681000BLRI-10L | SAMSUNG |
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128K x8 bit Low Power CMOS Static RAM | |
KM681000BLRI-7 | SAMSUNG |
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128K x8 bit Low Power CMOS Static RAM | |
KM681000BLRI-7L | SAMSUNG |
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128K x8 bit Low Power CMOS Static RAM | |
KM681000BLT100-L | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-32 | |
KM681000BLT-10L | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32 | |
KM681000BLT12 | SAMSUNG |
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SRAM | |
KM681000BLT12L | SAMSUNG |
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SRAM | |
KM681000BLT-5 | SAMSUNG |
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128K x8 bit Low Power CMOS Static RAM |