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KM681000BLT70

更新时间: 2024-01-26 09:47:10
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三星 - SAMSUNG 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
1页 38K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-32

KM681000BLT70 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP
包装说明:TSOP1,针数:32
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.82
最长访问时间:70 nsJESD-30 代码:R-PDSO-G32
长度:18.4 mm内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:32字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:128KX8可输出:YES
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP1
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm最小待机电流:2 V
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL宽度:8 mm
Base Number Matches:1

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