是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | 0.600 INCH, DIP-32 | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.88 |
最长访问时间: | 100 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDIP-T32 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 41.91 mm | 内存密度: | 1048576 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 131072 words |
字数代码: | 128000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 128KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | YES | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP32,.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 5.08 mm | 最大待机电流: | 0.00005 A |
最小待机电流: | 2 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.07 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 15.24 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
KM681000BLP-10L | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, DIP-32 | |
KM681000BLP-5 | SAMSUNG |
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128K x8 bit Low Power CMOS Static RAM | |
KM681000BLP55 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, PDIP32, DIP-32 | |
KM681000BLP55-L | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, PDIP32, DIP-32 | |
KM681000BLP-5L | SAMSUNG |
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128K x8 bit Low Power CMOS Static RAM | |
KM681000BLP-7 | SAMSUNG |
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128K x8 bit Low Power CMOS Static RAM | |
KM681000BLP70 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDIP32, DIP-32 | |
KM681000BLP70-L | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDIP32, DIP-32 | |
KM681000BLP-7L | SAMSUNG |
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128K x8 bit Low Power CMOS Static RAM | |
KM681000BLP-8L | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 85ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, DIP-32 |