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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | TSOP, TSOP54,.46,32 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.3 |
| 最长访问时间： | 6 ns | 最大时钟频率 (fCLK)： | 100 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | 交错的突发长度： | 1,2,4,8 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G54 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 67108864 bit | 内存集成电路类型： | SYNCHRONOUS DRAM |
| 内存宽度： | 8 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 端子数量： | 54 | 字数： | 8388608 words |
| 字数代码： | 8000000 | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 8MX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP | 封装等效代码： | TSOP54,.46,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 4096 |
| 连续突发长度： | 1,2,4,8,FP | 最大待机电流： | 0.001 A |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 0.125 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KM48S8030CT-GLQ | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 8MX8, 6ns, CMOS, PDSO54 |
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| KM48S8030CT-GLT | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 8MX8, 6ns, CMOS, PDSO54 |
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| KM48S8030CT-GLTH | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 8MX8, 6ns, CMOS, PDSO54 |
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| KM48S8030CT-GLZ | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 8MX8, 6ns, CMOS, PDSO54 |
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| KM48S8030D | SAMSUNG |
获取价格 |
64Mbit SDRAM 2M x 8Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
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| KM48S8030DT-F8 | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 8MX8, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 |
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| KM48S8030DT-F800 | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 8MX8, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 |
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| KM48S8030DT-FA | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 8MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 |
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| KM48S8030DT-FA00 | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 8MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 |
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| KM48S8030DT-FH | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 8MX8, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 |
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