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KM48S8030CT-GLTH

更新时间: 2024-11-02 13:09:07
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器
页数 文件大小 规格书
8页 85K
描述
Synchronous DRAM, 8MX8, 6ns, CMOS, PDSO54

KM48S8030CT-GLTH 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete包装说明:TSOP, TSOP54,.46,32
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.31
最长访问时间:6 ns最大时钟频率 (fCLK):100 MHz
I/O 类型:COMMON交错的突发长度:1,2,4,8
JESD-30 代码:R-PDSO-G54JESD-609代码:e0
内存密度:67108864 bit内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度:8湿度敏感等级:3
端子数量:54字数:8388608 words
字数代码:8000000最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:8MX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP封装等效代码:TSOP54,.46,32
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度):260电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:4096
连续突发长度:1,2,4,8,FP最大待机电流:0.001 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.125 mA
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40Base Number Matches:1

KM48S8030CT-GLTH 数据手册

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Preliminary  
KM48S8030C  
PC133 CMOS SDRAM  
Revision History  
Revision 0.0 (Oct., 1998)  
• PC133 first published.  
REV. 0 Oct. '98  

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