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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TSOP2 |
| 包装说明： | SOP, | 针数： | 50 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.02 | 风险等级： | 5.84 |
| 访问模式： | FAST PAGE WITH EDO | JESD-30 代码： | R-PDSO-G50 |
| 内存密度： | 67108864 bit | 内存集成电路类型： | EDO DRAM |
| 内存宽度： | 4 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 50 |
| 字数： | 16777216 words | 字数代码： | 16000000 |
| 组织： | 16MX4 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOP | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KM48V104AS-6 | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM, 16MX4, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50 |
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| KM48V104AS-7 | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM, 16MX4, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50 |
|
| KM48V104AS-L5 | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM, 16MX4, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50 |
|
| KM48V104AS-L6 | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM, 16MX4, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50 |
|
| KM48V104AS-L7 | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM, 16MX4, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50 |
|
| KM48V2000ALLT-6 | SAMSUNG |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 2MX8, 60ns, CMOS, PDSO28, PLASTIC, TSOP2-28 |
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| KM48V2000ASLJ-7 | SAMSUNG |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 2MX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28 |
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| KM48V2000B | SAMSUNG |
获取价格 |
2M x 8Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
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| KM48V2000BK-8 | SAMSUNG |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 2MX8, 80ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28 |
|
| KM48V2000BK-L6 | SAMSUNG |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 2MX8, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28 |
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