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KM48V104AS-L6

更新时间: 2024-11-02 19:57:59
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三星 - SAMSUNG 动态存储器光电二极管内存集成电路
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1页 49K
描述
EDO DRAM, 16MX4, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50

KM48V104AS-L6 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP2
包装说明:SOP,针数:50
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.84
访问模式:FAST PAGE WITH EDOJESD-30 代码:R-PDSO-G50
内存密度:67108864 bit内存集成电路类型:EDO DRAM
内存宽度:4功能数量:1
端口数量:1端子数量:50
字数:16777216 words字数代码:16000000
组织:16MX4封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE认证状态:Not Qualified
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS端子形式:GULL WING
端子位置:DUALBase Number Matches:1

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