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KM48L16031BT-FY0

更新时间: 2024-11-01 14:51:51
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
49页 750K
描述
DDR DRAM, 16MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO66, TSOP2-66

KM48L16031BT-FY0 技术参数

生命周期:Active包装说明:TSOP2,
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.72
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间:0.75 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESHJESD-30 代码:R-PDSO-G66
长度:22.22 mm内存密度:134217728 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:66字数:16777216 words
字数代码:16000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:16MX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE座面最大高度:1.2 mm
自我刷新:YES最大供电电压 (Vsup):2.7 V
最小供电电压 (Vsup):2.3 V标称供电电压 (Vsup):2.5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:GULL WING
端子节距:0.65 mm端子位置:DUAL
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

KM48L16031BT-FY0 数据手册

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128Mb DDR SDRAM  
Target  
DDR SDRAM Specification  
Version 0.61  
- 1 of 63 -  
REV. 0.61 August 9. '99  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KM48L16031BT-FZ0 SAMSUNG

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DDR DRAM, 16MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO66, TSOP2-66
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KM48L16031BT-G00 SAMSUNG

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DDR DRAM, 16MX8, 0.8ns, CMOS, PDSO66, TSOP2-66
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