Datasheet > 存储 > DRAM> KM416S8030AT-G/FH

KM416S8030AT-G/FH

更新时间： 2024-09-13 13:09:07

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器
页数	文件大小	规格书
10页	120K
描述
Synchronous DRAM, 8MX16, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54

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KM416S8030AT-G/FH 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSOP2,	针数：	54
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.4
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	6 ns
JESD-30 代码：	R-PDSO-G54	长度：	22.22 mm
内存密度：	134217728 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	54
字数：	8388608 words	字数代码：	8000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	8MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

KM416S8030AT-G/FH 数据手册

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Preliminary

KM416S8030

CMOS SDRAM

2M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM

FEATURES

GENERAL DESCRIPTION

• JEDEC standard 3.3V power supply

• LVTTL compatible with multiplexed address

• Four banks operation

The KM416S8030 is 134,217,728 bits synchronous high data

rate Dynamic RAM organized as 4 x 2,097,152 words by 16

bits, fabricated with SAMSUNG¢s high performance CMOS

technology. Synchronous design allows precise cycle control

with the use of system clock I/O transactions are possible on

every clcok cycle. Range of operating frequencies, programma-

ble burst length and programmable latencies allow the same

device to be useful for a variety of high bandwidth, high perfor-

mance memory system applications.

• MRS cycle with address key programs

-. CAS Latency (2 & 3)

-. Burst Length (1, 2, 4, 8 & full page)

-. Burst Type (Sequential & Interleave)

• All inputs are sampled at the positive going edge of the system

clock.

• Burst Read Single-bit Write operation

• DQM for masking

ORDERING INFORMATION

• Auto & self refresh

Part NO.

MAX Freq. Interface Package

• 64ms refresh period (4K cycle)

KM416S8030T-G/F8

KM416S8030T-G/FH

KM416S8030T-G/FL

KM416S8030T-G/F10

125MHz

54pin

TSOP(II)

100MHz

LVTTL

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

LWE

Data Input Register

LDQM

Bank Select

2M x 16

DQi

CLK

ADD

Column Decoder

Latency & Burst Length

LCKE

Programming Register

LWCBR

LRAS

LCBR

LWE

LCAS

LDQM

Timing Register

CLK

CKE

RAS

CAS

LDQM

UDQM

Samsung Electronics reserves the right to

change products or specification without

notice.

REV. 2 Mar. '98

12 3 4 5 6 7...10

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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KM416S8030BN	SAMSUNG	获取价格	128Mb SDRAM Shrink TSOP 2M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL
KM416S8030BN-FH	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX16, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.441 INCH, 0.40 MM PITCH, STSOP2-54
KM416S8030BN-FL	SAMSUNG	获取价格	暂无描述
KM416S8030BN-G/FH	SAMSUNG	获取价格	128Mb SDRAM Shrink TSOP 2M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL
KM416S8030BN-G/FL	SAMSUNG	获取价格	128Mb SDRAM Shrink TSOP 2M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL
KM416S8030BN-GH	SAMSUNG	获取价格	暂无描述
KM416S8030BN-GL	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX16, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.441 INCH, 0.40 MM PITCH, STSOP2-54
KM416S8030BT-FH	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX16, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54
KM416S8030BT-FL	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX16, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54

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