5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TSOP2 | 包装说明： | TSOP2, TSOP54,.46,32 |
| 针数： | 54 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.02 |
| 风险等级： | 5.83 | 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间： | 6 ns | 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 100 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| 交错的突发长度： | 1,2,4,8 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G54 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 22.22 mm |
| 内存密度： | 134217728 bit | 内存集成电路类型： | SYNCHRONOUS DRAM |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 54 |
| 字数： | 8388608 words | 字数代码： | 8000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 8MX16 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP2 | 封装等效代码： | TSOP54,.46,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 4096 |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 自我刷新： | YES |
| 连续突发长度： | 1,2,4,8,FP | 最大待机电流： | 0.001 A |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 0.2 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 10.16 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KM416U1004CTE-L6 | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50/44 |
|
| KM416U1004CTE-L7 | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50/44 |
|
| KM416U1004CT-L6 | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50/44 |
|
| KM416V1000AJ-F6 | SAMSUNG |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO42, PLASTIC, SOJ-42 |
|
| KM416V1000AJ-L7 | SAMSUNG |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, SOJ-42 |
|
| KM416V1000AJ-L8 | SAMSUNG |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 1MX16, 80ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, SOJ-42 |
|
| KM416V1000AR-7 | SAMSUNG |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO44, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-44 |
|
| KM416V1000AR-8 | SAMSUNG |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 1MX16, 80ns, CMOS, PDSO44, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-44 |
|
| KM416V1000AT-7 | SAMSUNG |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44 |
|
| KM416V1000AT-8 | SAMSUNG |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 1MX16, 80ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44 |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
