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KM416C256LJ-10

更新时间： 2024-02-28 02:40:23

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
23页	788K
描述
Fast Page DRAM, 256KX16, 100ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-40

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KM416C256LJ-10 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOJ
包装说明：	SOJ, SOJ40,.44	针数：	40
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.88
Is Samacsys：	N	访问模式：	FAST PAGE
最长访问时间：	100 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-J40
JESD-609代码：	e0	长度：	26.035 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	40
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	256KX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOJ	封装等效代码：	SOJ40,.44
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	512
座面最大高度：	3.56 mm	自我刷新：	NO
最大待机电流：	0.0002 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.105 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KM416C4000B	SAMSUNG	获取价格	4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode
KM416C4000B-6	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 4MX16, 60ns, CMOS, PDSO50
KM416C4000BS-45	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 4MX16, 45ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50
KM416C4000BS-6	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 4MX16, 60ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50
KM416C4000C	SAMSUNG	获取价格	4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode
KM416C4000C-5	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 4MX16, 50ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, TSOP-50
KM416C4000C-5000	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 4MX16, 50ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50
KM416C4000C-6	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 4MX16, 60ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, TSOP-50
KM416C4000C-6000	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 4MX16, 60ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50
KM416C4000CS-5	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 4MX16, 50ns, CMOS, PDSO50