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KM416C4000C-6000

更新时间： 2024-02-04 08:09:45
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
35页 901K
描述
Fast Page DRAM, 4MX16, 60ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50

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KM416C4000C-6000 技术参数

生命周期：Active包装说明：TSOP2,
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.75访问模式：FAST PAGE
最长访问时间：60 ns其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH
JESD-30 代码：R-PDSO-G50长度：20.95 mm
内存密度：67108864 bit内存集成电路类型：FAST PAGE DRAM
内存宽度：16功能数量：1
端口数量：1端子数量：50
字数：4194304 words字数代码：4000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：4MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP2
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
座面最大高度：1.2 mm自我刷新：YES
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：GULL WING端子节距：0.8 mm
端子位置：DUAL宽度：10.16 mm
Base Number Matches：1

KM416C4000C-6000 数据手册

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KM416C4000C,KM416C4100C  
CMOS DRAM  
4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode  
DESCRIPTION  
This is a family of 4,194,304 x 16 bit Fast Page Mode CMOS DRAMs. Fast Page Mode offers high speed random access of memory  
cells within the same row. Refresh cycle(4K Ref. or 8K Ref.), access time ( -5 or -6) are optional features of this family. All of this family  
have CAS-before-RAS refresh, RAS-only refresh and Hidden refresh capabilities. This 4Mx16 Fast Page Mode DRAM family is fabri-  
cated using Samsung¢s advanced CMOS process to realize high band-width, low power consumption and high reliability.  
• Fast Page Mode operation  
FEATURES  
• 2CAS Byte/Word Read/Write operation  
• Part Identification  
• CAS-before-RAS refresh capability  
• RAS-only and Hidden refresh capability  
• Fast parallel test mode capability  
• TTL(5.0V) compatible inputs and outputs  
• Early Write or output enable controlled write  
• JEDEC Standard pinout  
- KM416C4000C(5.0V, 8K Ref.)  
- KM416C4100C(5.0V, 4K Ref.)  
• Active Power Dissipation  
Unit : mW  
• Available in Plastic TSOP(II) package  
• +5.0V±10% power supply  
Speed  
-5  
8K  
4K  
495  
440  
660  
605  
-6  
• Refresh Cycles  
Part  
NO.  
Refresh  
cycle  
Refresh time  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
Normal  
KM416C4000C*  
KM416C4100C  
8K  
4K  
RAS  
UCAS  
LCAS  
W
64ms  
Vcc  
Vss  
Control  
Clocks  
VBB Generator  
* Access mode & RAS only refresh mode  
: 8K cycle/64ms  
Lower  
Data in  
Buffer  
DQ0  
to  
DQ7  
Row Decoder  
Refresh Timer  
CAS-before-RAS & Hidden refresh mode  
: 4K cycle/64ms  
Lower  
Data out  
Buffer  
Refresh Control  
Memory Array  
OE  
4,194,304 x 16  
Cells  
Refresh Counter  
Row Address Buffer  
Col. Address Buffer  
Upper  
Data in  
Buffer  
• Performance Range  
DQ8  
to  
DQ15  
Speed  
-5  
tRAC  
50ns  
60ns  
tCAC  
13ns  
15ns  
tRC  
tPC  
A0~A12  
(A0~A11)*1  
Upper  
Data out  
Buffer  
90ns  
110ns  
35ns  
40ns  
A0~A8  
(A0~A9)*1  
Column Decoder  
-6  
Note) *1 : 4K Refresh  
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. reserves the right to  
change products and specifications without notice.  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KM416C4000CS-5 SAMSUNG

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 		Fast Page DRAM, 4MX16, 50ns, CMOS, PDSO50
KM416C4004BS-5 SAMSUNG

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 		EDO DRAM, 4MX16, 50ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50
KM416C4004C SAMSUNG

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 		4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
KM416C4004CS-5 SAMSUNG

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