5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > KM416C4004BS-5
KM416C4004BS-5 PDF预览

KM416C4004BS-5

更新时间： 2024-01-20 01:06:34
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
36页 804K
描述
EDO DRAM, 4MX16, 50ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50

阅读下载

中文翻译

获取价格

KM416C4004BS-5 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP2包装说明：TSOP2, TSOP50,.46,32
针数：50Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.02
风险等级：5.92访问模式：FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间：50 ns其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-G50
JESD-609代码：e0长度：20.95 mm
内存密度：67108864 bit内存集成电路类型：EDO DRAM
内存宽度：16功能数量：1
端口数量：1端子数量：50
字数：4194304 words字数代码：4000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：4MX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP2封装等效代码：TSOP50,.46,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源：5 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：8192座面最大高度：1.2 mm
自我刷新：NO最大待机电流：0.001 A
子类别：DRAMs最大压摆率：0.12 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：0.8 mm端子位置：DUAL
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

KM416C4004BS-5 数据手册

 浏览型号KM416C4004BS-5的Datasheet PDF文件第2页浏览型号KM416C4004BS-5的Datasheet PDF文件第3页浏览型号KM416C4004BS-5的Datasheet PDF文件第4页浏览型号KM416C4004BS-5的Datasheet PDF文件第5页浏览型号KM416C4004BS-5的Datasheet PDF文件第6页浏览型号KM416C4004BS-5的Datasheet PDF文件第7页 
KM416C4004B,KM416C4104B  
CMOS DRAM  
4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out  
DESCRIPTION  
This is a family of 4,194,304 x 16 bit Extended Data Out Mode CMOS DRAMs. Extended Data Out Mode offers high speed random  
access of memory cells within the same row. Refresh cycle(4K Ref. or 8K Ref.), access time (-45, -5 or -6) are optional features of this  
family. All of this family have CAS-before-RAS refresh, RAS-only refresh and Hidden refresh capabilities. This 4Mx16 EDO Mode DRAM  
family is fabricated using Samsung¢s advanced CMOS process to realize high band-width, low power consumption and high reliability.  
• Extended Data Out Mode operation  
FEATURES  
• 2 CAS Byte/Word Read/Write operation  
• Part Identification  
• CAS-before-RAS refresh capability  
• RAS-only and Hidden refresh capability  
• Fast parallel test mode capability  
• TTL(5.0V) compatible inputs and outputs  
• Early Write or output enable controlled write  
• JEDEC Standard pinout  
- KM416C4004B(5.0V, 8K Ref.)  
- KM416C4104B(5.0V, 4K Ref.)  
• ActivePowerDissipation  
Unit : mW  
• Available in Plastic TSOP(II) package  
• +5.0V±10% power supply  
Speed  
-45  
-5  
8K  
4K  
550  
495  
440  
715  
660  
605  
-6  
• Refresh Cycles  
Part  
NO.  
Refresh  
cycle  
Refresh time  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
Normal  
KM416C4004B*  
KM416C4104B  
8K  
4K  
RAS  
UCAS  
LCAS  
W
64ms  
Vcc  
Vss  
Control  
Clocks  
VBB Generator  
* Access mode & RAS only refresh mode  
: 8K cycle/64ms  
CAS-before-RAS & Hidden refresh mode  
: 4K cycle/64ms  
Lower  
Data in  
Buffer  
DQ0  
to  
DQ7  
Row Decoder  
Refresh Timer  
Lower  
Data out  
Buffer  
Refresh Control  
Memory Array  
OE  
4,194,304 x 16  
Cells  
Refresh Counter  
Row Address Buffer  
Col. Address Buffer  
Upper  
Data in  
Buffer  
• Performance Range  
Speed  
-45  
-5  
tRAC  
45ns  
50ns  
60ns  
tCAC  
12ns  
13ns  
15ns  
tRC  
tHPC  
17ns  
20ns  
25ns  
A0~A12  
(A0~A11)*1  
DQ8  
to  
DQ15  
Upper  
Data out  
Buffer  
74ns  
84ns  
104ns  
A0~A8  
(A0~A9)*1  
Column Decoder  
-6  
Note) *1 : 4K Refresh  
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. reserves the right to  
change products and specifications without notice.  
1234567...36

中文翻译

下载PDF

与KM416C4004BS-5相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KM416C4004C SAMSUNG

获取价格

 		4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
KM416C4004CS-5 SAMSUNG

获取价格

 		EDO DRAM, 4MX16, 50ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50
KM416C4004CS-6 SAMSUNG

获取价格

 		EDO DRAM, 4MX16, 60ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50
KM416C4100B SAMSUNG

获取价格

 		4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode
KM416C4100B-45 SAMSUNG

获取价格

 		Fast Page DRAM, 4MX16, 45ns, CMOS, PDSO50
KM416C4100BS-45 SAMSUNG

获取价格

 		Fast Page DRAM, 4MX16, 45ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50
KM416C4100BS-5 SAMSUNG

获取价格

 		Fast Page DRAM, 4MX16, 50ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50
KM416C4100BS-6 SAMSUNG

获取价格

 		Fast Page DRAM, 4MX16, 60ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50
KM416C4100C SAMSUNG

获取价格

 		4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode
KM416C4100C-6 SAMSUNG

获取价格

 		Fast Page DRAM, 4MX16, 60ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, TSOP-50

与KM416C4004BS-5相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证