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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | QCCJ, LDCC18,.33X.53 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.73 |
| 最长访问时间： | 150 ns | I/O 类型： | SEPARATE |
| JESD-30 代码： | R-PQCC-J18 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 262144 bit | 内存集成电路类型： | PAGE MODE DRAM |
| 内存宽度： | 1 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 端子数量： | 18 | 字数： | 262144 words |
| 字数代码： | 256000 | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 256KX1 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | QCCJ | 封装等效代码： | LDCC18,.33X.53 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 256 |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 0.065 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | MOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | J BEND |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KM41256AP-10 | SAMSUNG |
获取价格 |
256K X 1 Bit Dynamic RAM with Page / Nibble Mode |
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| KM41256AP-12 | SAMSUNG |
获取价格 |
256K X 1 Bit Dynamic RAM with Page / Nibble Mode |
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| KM41256AP-15 | SAMSUNG |
获取价格 |
256K X 1 Bit Dynamic RAM with Page / Nibble Mode |
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| KM41256AZ-10 | SAMSUNG |
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256K X 1 Bit Dynamic RAM with Page / Nibble Mode |
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| KM41256AZ-12 | SAMSUNG |
获取价格 |
256K X 1 Bit Dynamic RAM with Page / Nibble Mode |
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| KM41256AZ-15 | SAMSUNG |
获取价格 |
256K X 1 Bit Dynamic RAM with Page / Nibble Mode |
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| KM41257A | SAMSUNG |
获取价格 |
256K X 1 Bit Dynamic RAM with Page / Nibble Mode |
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| KM41257AJ-10 | SAMSUNG |
获取价格 |
256K X 1 Bit Dynamic RAM with Page / Nibble Mode |
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| KM41257AJ-12 | SAMSUNG |
获取价格 |
256K X 1 Bit Dynamic RAM with Page / Nibble Mode |
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| KM41257AJ-15 | SAMSUNG |
获取价格 |
256K X 1 Bit Dynamic RAM with Page / Nibble Mode |
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