5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | ZIP, ZIP16,.1 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.73 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 100 ns |
| I/O 类型： | SEPARATE | JESD-30 代码： | R-PZIP-T16 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 262144 bit |
| 内存集成电路类型： | PAGE MODE DRAM | 内存宽度： | 1 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 端子数量： | 16 |
| 字数： | 262144 words | 字数代码： | 256000 |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 256KX1 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | ZIP |
| 封装等效代码： | ZIP16,.1 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 256 | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 0.085 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | MOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | ZIG-ZAG | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KM41256AZ-12 | SAMSUNG |
获取价格 |
256K X 1 Bit Dynamic RAM with Page / Nibble Mode |
|
| KM41256AZ-15 | SAMSUNG |
获取价格 |
256K X 1 Bit Dynamic RAM with Page / Nibble Mode |
|
| KM41257A | SAMSUNG |
获取价格 |
256K X 1 Bit Dynamic RAM with Page / Nibble Mode |
|
| KM41257AJ-10 | SAMSUNG |
获取价格 |
256K X 1 Bit Dynamic RAM with Page / Nibble Mode |
|
| KM41257AJ-12 | SAMSUNG |
获取价格 |
256K X 1 Bit Dynamic RAM with Page / Nibble Mode |
|
| KM41257AJ-15 | SAMSUNG |
获取价格 |
256K X 1 Bit Dynamic RAM with Page / Nibble Mode |
|
| KM41257AP-10 | SAMSUNG |
获取价格 |
256K X 1 Bit Dynamic RAM with Page / Nibble Mode |
|
| KM41257AP-12 | SAMSUNG |
获取价格 |
256K X 1 Bit Dynamic RAM with Page / Nibble Mode |
|
| KM41257AP-15 | SAMSUNG |
获取价格 |
256K X 1 Bit Dynamic RAM with Page / Nibble Mode |
|
| KM41257AZ-10 | SAMSUNG |
获取价格 |
256K X 1 Bit Dynamic RAM with Page / Nibble Mode |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
